公司成立于2018年，致力于半導體新材料研發，聚焦在半導體上道晶體生長、外延、新一代光伏等工藝的關鍵涂層材料。公司創始人為前中科院教授，深耕半導體材料行業多年，具有豐富的技術產業化實踐經驗。公司設有雙研發中心，研發團隊配置雄厚：六方研發中心+甬江實驗室熱場材料創新中心。公司已實現技術和工藝放大、完全量產，新一期生產基地規劃在落地階段。入選浙江省產業鏈協同創新集成電路方向指南企業，獲得半導體上市公司立昂微（605358）、江豐電子（300666）及其關聯方的戰略性支持。
【產業鏈介紹】
浙江六方半導體科技有限公司致力于半導體新材料研發 ,公司成立于2018年,主要研發、生產、銷售用于SiC涂層石墨零部件產品，LED 芯片外延用 SiC 涂層基座、硅單晶外延基座,晶舟及整套設備熱場材料,并提供碳化硅SiC和TaC涂層服務，碳化硅和碳化鉭是最成熟的寬禁帶半導體材料，在半導體電子產業中有著廣闊的應用前景。目前在碳化硅（SiC）外延設備、MOCVD設備、硅（Si）外延設備等半導體設備關鍵部件及整套熱場材料,LED外延用的SiC涂層基座等已經實現量產。公司生產的其他碳化硅涂層產品在航空航天，光伏產業，核能源，高鐵，汽車等行業也有著廣泛應用。
公司持續專注技術和工藝研發，技術配置雄厚，一方面通過技術迭代持續推動已商業化的產品達到更新的水準，為半導體客戶提供更高性價比的產品選擇；其次，公司將持續研發并商業化新產品，滿足半導體行業客戶更多的需求，實現公司持續增長。
成立至今,我們堅持SiC和TaC等先進碳基材料研發-工藝研發-設備研發-產業化經驗發展路徑,積極開展外延、刻蝕、氧化擴散和晶體生長等半導體設備碳化硅零部件、燒結碳化硅零部件和碳化鉭涂層石墨零部件等新產品研發，并陸續進入試制、驗證階段。目前，公司TaC產品、晶舟等產品已開始逐步商業化，Solid SiC等產品處于商業化起始階段。該類型產品服務于快速增長的第三代半導體襯底、國產化率接近零的集成電路關鍵工藝領域，增長潛力大。公司產品矩陣的布局和商業化階段已向平臺化模式發展，技術背景的創始人帶隊的雄厚研發團隊是夯實平臺商業模式的底層支撐，也是公司實現持續增長的保障。

【創始人簡介】
何少龍 董事長兼CTO 教授，博士生導師
甬江實驗室熱場材料創新中心，執行主任
何少龍教授長期從事先進材料研究，包括石墨烯，碳化硅等先進碳基材料生長及物性研究。迄今在國際頂級學術期刊含Nature Materials, Nature Communications，Phys. Rev. Lett.，PNAS等國際期刊上發表了30多篇論文，綜述性論文2篇，單篇引用超過700多次，文章總引用超過2000次，被邀請在美國March Meeting，日本半導體年會，香山會議等國內、國際重要學術會議作邀請報告。已主持6項國家自然科學基金委面上項目，參與多項科技部973項目和國家重點研發計劃。
【研發實力】
2023年10月30日，半導體熱場新材料論壇暨熱場材料創新中心揭牌儀式在甬江實驗室519星璨報告廳正式舉行。
甬江實驗室熱場材料創新中心，是由六方科技加盟甬江實驗室建立的協同創新中心。六方科技致力于半導體新材料研發，聚焦在半導體上道晶體生長、外延、蝕刻等工藝的關鍵涂層材料。甬江實驗室熱場材料創新中心聚焦CVD碳化硅涂層技術在半導體行業中的應用，研究CVD碳化硅涂層相關的基本科學問題，同時針對碳化硅涂層托盤展開面向應用的技術開發。