結果表明:隨氮分壓的,Ta N薄膜的微結構明顯變化,同時Ta N薄膜的方阻也有顯著趨勢;隨著沉積溫度的提高,Ta N薄膜的方阻有減小趨勢,當溫度達到400℃時,制備出了方阻小于100Ω/□的薄膜;隨著沉積時間的加長,Ta N薄膜的方阻也出現減小的現象;后制備出工藝穩定性好的方阻50Ω/□的Ta N薄膜氮化鉭為黑色六方結晶。相對密度為13.4，熔點為3090℃，顯微硬度為1100kg/mm2，熱導率為9.54W/(m·K)，電阻率為128μΩ·cm利用磁控反應濺射技術制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術研究了薄膜的微觀結構。研究結果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細小（１６ｎｍ左右）；同時還發現，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長的晶面會有改變。用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕

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