典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用作摻雜劑的N-外延層。陽使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較H-層要高倍。在基片下邊形成N+陰層，其作用是減小陰的接觸電阻。通過調整結構參數，N型基片和陽金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽金屬接電源正，N型基片接電源負）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。如何選用肖特基二管開關電源當中我們經常會用到肖特基二管，但是由于不同廠商等原因性能上就相差很大，我們選擇肖特基時必須要考慮以下幾點參數：1.導通壓降VF：VF為二管正向導通時二管兩端的壓降，選擇肖特基二管是盡量選擇VF較小的二管。2.反向飽和漏電流IR：IR指在二管兩端加入反向電壓時，流過二管的電流，肖特基二管反向漏電流較大，選擇肖特基二管是盡量選擇IR較小的二管。3.額定電流IF：指二管長期運行時，根據允許溫升折算出來的平均電流值。4.大浪涌電流IFSM：允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個值相當大。5.大反向峰值電壓VRM：即使沒有反向電流，只要不斷地提高反向電壓，遲早會使二管損壞。這種能加上的反向電壓，不是瞬時電壓，而是反復加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓，它的大值是規定的重要因子。大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的大反向電壓。6.大直流反向電壓VR：上述大反向峰值電壓是反復加上的峰值電壓，VR是連續加直流電壓時的值。用于直流電路，大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。7.高工作頻率fM：由于PN結的結電容存在，當工作頻率**過某一值時，它的單向導電性將變差。肖特基二管的fM值較高，大可達100GHz。8.反向恢復時間Trr：當工作電壓從正向電壓變成反向電壓時，二管工作的理想情況是電流能瞬時截止。實際上，一般要延遲一點點時間。決定電流截止延時的量，就是反向恢復時間。雖然它直接影響二管的開關速度，但不一定說這個值小就好。也即當肖特基二管由導通突然反向時，反向電流由很大衰減到接近IR時所需要的時間。大功率開關管工作在高頻開關狀態時，此項指標至為重要。肖特基二管又被稱為肖特基勢壘二管（簡稱?SBD），是一種低功耗、**高速半導體器件。肖特基二管**的特點是反向恢復時間短，正向導通壓降僅為0.4V左右。肖特基二管多用作高頻、大電流整流二管、低壓、續流二管、保護二管、小信號檢波二管、微波通信等電路中作整流二管等處使用。肖特基二管在通信電源、變頻器等中比較常見。肖特基二管在雙型晶體管的開關電路里面，通過在連接二管來箝位。肖特基缺陷是由于晶體表面附近的原子熱運動到表面，在原來的原子位置留出空位，然后內部鄰近的原子再進入這個空位，這樣逐步進行而造成的，看來就好像是晶體內部原子跑到晶體表面來了。顯然，對于離子晶體，陰陽離子空位總是成對出現；但若是單質，則無這種情況。除了表面外，肖特基缺陷也可在位錯或晶界上產生。這種缺陷在晶體內也能運動，也存在著產生和復合的動態平衡。對一定的晶體來說，在確定的溫度下，缺陷的濃度也是一定的。空位缺陷的存在可用場離子顯微鏡直接觀察到。

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