內光電效應分為光導效應和光伏效應。光導效應中，半導體吸收足夠能量的光子后，把其中的一些電子或空穴從原來不導電的束縛狀態到能導電的自由狀態，導致半導體電導率增加、電路中電阻下降。光伏效應中，光生電荷在半導體內產生跨越結的P-N小勢差。產生的光電壓通過光電器件放大并可直接進行測量。根據光導效應和光伏效應制成的器件分別稱為半導體光導探測器和光伏探測器。

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