圓形磁控濺射靶 圓形磁控濺射靶直徑范圍為：50～250mm；靶結(jié)構(gòu)材料選取適合高真空的優(yōu)質(zhì)不銹鋼和銅合金材料；磁場(chǎng)源采用穩(wěn)定性最高的稀土釤鈷永磁材料；磁場(chǎng)采用模塊化排布并進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，有效地提高靶材利用率和設(shè)備穩(wěn)定性；冷卻水循環(huán)量為1L/min，能有效的保證設(shè)備的冷卻效果；根據(jù)不同設(shè)備可以配置不同角度的安裝頭；采用Φ20不銹鋼導(dǎo)管，復(fù)合法蘭進(jìn)行安裝，適用于高真空高純度鍍膜。另外其他特殊性能可根據(jù)客戶需要進(jìn)行設(shè)計(jì)..

磁控濺射靶材的利用率可成為磁控濺射源的工程設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝成本核算的一個(gè)參數(shù)。目前沒有見到對(duì)磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報(bào)道，而從理論上對(duì)磁控濺射靶材利用率近似計(jì)算的探討具有實(shí)際意義。對(duì)于靜態(tài)直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無相對(duì)運(yùn)動(dòng)且靶材直接與冷卻水接觸的靶， 靶材利用率( 最大值) 數(shù)據(jù)多在20%~30%左右(間冷靶相對(duì)要高一些，但其被刻蝕過程與直冷 靶相同，不作專門討論)，且多為估計(jì)值。為了提高靶材利..

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電子交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。 靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)和非平衡磁控陰極。..