圓形磁控濺射靶 圓形磁控濺射靶直徑范圍為：50～250mm；靶結構材料選取適合高真空的優質不銹鋼和銅合金材料；磁場源采用穩定性最高的稀土釤鈷永磁材料；磁場采用模塊化排布并進行優化設計，有效地提高靶材利用率和設備穩定性；冷卻水循環量為1L/min，能有效的保證設備的冷卻效果；根據不同設備可以配置不同角度的安裝頭；采用Φ20不銹鋼導管，復合法蘭進行安裝，適用于高真空高純度鍍膜。另外其他特殊性能可根據客戶需要進行設計..

磁控濺射靶材的利用率可成為磁控濺射源的工程設計和生產工藝成本核算的一個參數。目前沒有見到對磁控濺射靶材利用率專門或系統研究的報道，而從理論上對磁控濺射靶材利用率近似計算的探討具有實際意義。對于靜態直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無相對運動且靶材直接與冷卻水接觸的靶， 靶材利用率( 最大值) 數據多在20%~30%左右(間冷靶相對要高一些，但其被刻蝕過程與直冷 靶相同，不作專門討論)，且多為估計值。為了提高靶材利..

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電子交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。 靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態和非平衡磁控陰極。..